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Interner Speicher/Arbeitsspeicher

Es gibt Festwertspeicher: 

  • ROM = Read Only Memory
  • PROM = Programmable ROM (einmalig)
  • EPROM = Erasable PROM (mehrmals, mit UV-Licht)
  • EEPROM = Electrically EPROM
  • FlashPROM = EEPROM

und flüchtige Speicher: 

  • RAM = Random Access Memory
  • DRAM = Dynamic RAM (zyklischer Refresh notwendig)
  • SRAM = Static RAM (benötigt Pufferspannung, schneller als DRAM)

Der Arbeitsspeicher (RAM) ist ein dynamischer Speicher! Es gibt zwei Zugriffsverfahren: RAS (Row Access Strobe) und CAS (Column Access Strobe). Der Ablauf auf eine Zelle ist wie folgt: Über den Adressbus wird die Zeilenadresse übergeben, nach kurzer Wartezeit anschließend die Spaltenadresse. Die Speicherzelle ist dann vorselektiert und fürn den Schreib- oder Lesezugriff bereit. Man kann den den Zugriff beschleunigen, z.B. durch Fast-Page (FP): Eine Zelle wird vorselektiert und der Rest wird dann blockweise automatische ausgelesen. Beim Burst-Zugriff  wird eine Zeile vorselektiert und dann der Rest der Spalte ausgelesen. Man kann auch Hardwareverbesserung zur Erhöhung der Frequenz und zur Verringerung der Latenzzeiten durchführen.

Busbreite (Bit) Max. Basistakt
= Speichertakt (MHz)
Datentransfer/Takt Max. Transferrate (GB/s) Anzahl Pins
SDR-RAM 64 133 1 1,064; 1,33 168
DDR-RAM 64 200 2 3,2 184
DDR2/3-RAM 64 333 4;8 10,66; 21,3 240
SO-DIMM 64 200 5 0,8 200
XDR-RDRAM 8, 16 400 – 1000 (geplant) 8
ODR = Oktal DR, 32 geplant
6,4; 16 /